IMT65R060M2HXUMA1
Номер детали:
IMT65R060M2HXUMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 208W (Tc)
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Корпус 8-PowerSFN
- Поставщик Устройство Корпус PG-HSOF-8-2
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 20V
- Vgs (макс.) +23V, -7V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 19 nC @ 18 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 55mOhm @ 15.4A, 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.6V @ 3.1mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 669 pF @ 400 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 41.4A (Tc)