IMW65R026M2HXKSA1
Номер детали:
IMW65R026M2HXKSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IMW65R026M2HXKSA1
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 64A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 227W (Tc)
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 42 nC @ 18 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 20V
- Vgs (макс.) +23V, -7V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO247-3-40
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1499 pF @ 400 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 24mOhm @ 34.5A, 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.6V @ 7mA