IMZA75R008M1HXKSA1
Номер детали:
IMZA75R008M1HXKSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-4
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 163A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 517W (Tc)
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 20V
- Vgs (макс.) +23V, -5V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 750 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO247-4-U02
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.6V @ 32.4mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6137 pF @ 500 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 178 nC @ 500 V