IPA95R130PFD7XKSA1
Номер детали:
IPA95R130PFD7XKSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 33W (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 950 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 141 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO220 Full Pack
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13.9A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 130mOhm @ 25.1A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 1.25mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4170 pF @ 400 V