IPB022N12NM6ATMA1
Номер детали:
IPB022N12NM6ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3-2
- Напряжение сток-исток (Vdss) 120 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 8V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 141 nC @ 10 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.6V @ 275µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 11000 pF @ 60 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.8W (Ta), 395W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 29A (Ta), 167A (Tc)