IPB100N12S305ATMA2
Номер детали:
IPB100N12S305ATMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(120V 300V)
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 300W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 100A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3-2
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 185 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 120 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 240µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 100A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 11570 pF @ 25 V