IPB35N10S3L26ATMA2
Номер детали:
IPB35N10S3L26ATMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(75V 120V(
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2700 pF @ 25 V
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 35A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 39 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3-2
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 71W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.4V @ 39µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 26.3mOhm @ 35A, 10V