IPD023N03LF2SATMA1
Номер детали:
IPD023N03LF2SATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IPD023N03LF2SATMA1
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 36 nC @ 4.5 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 107W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3400 pF @ 15 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.35mOhm @ 70A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.35V @ 60µA
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO252-3-34
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Ta), 137A (Tc)