IPD082N10N3G
Номер детали:
IPD082N10N3G
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
UMW
Описание:
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 125W (Tc)
- Рабочая температура -55°C ~ 155°C (TJ)
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 80A (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 75µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 73A, 10V