IPD30N10S3L34ATMA2
Номер детали:
IPD30N10S3L34ATMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(75V 120V(
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Tc)
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 31 nC @ 10 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 57W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO252-3-11
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.4V @ 29µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1976 pF @ 25 V