IPD50P04P413AUMA2
Номер детали:
IPD50P04P413AUMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 50A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 51 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 58W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 85µA
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO252-3-313
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 50A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3670 pF @ 25 V