IPDQ65R018CM8XTMA1
Номер детали:
IPDQ65R018CM8XTMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IPDQ65R018CM8XTMA1
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 625W (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 173 nC @ 10 V
- Корпус 22-PowerBSOP Module
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 127A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-HDSOP-22
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.7V @ 1.48mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 18mOhm @ 55.6A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 8290 pF @ 400 V