IPDQ65R060CFD7XTMA1
Номер детали:
IPDQ65R060CFD7XTMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
HIGH POWER_NEW
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 65 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 45A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 272W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 820µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3288 pF @ 400 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 60mOhm @ 16.4A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PG-HDSOP-22-1
- Корпус 22-PowerBSOP Module