IPG15N06S3L-45
Номер детали:
IPG15N06S3L-45
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 55V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 20nC @ 10V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15A
- Мощность - Максимальная 21W
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8-4
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 10µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1420pF @ 25V