IPG20N06S2L65AATMA1
Номер детали:
IPG20N06S2L65AATMA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 12nC @ 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 55V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 14µA
- Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 410pF @ 25V
- Мощность - Максимальная 43W
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8-10