IPG20N06S4L14ATMA1
Номер детали:
IPG20N06S4L14ATMA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Discontinued at
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 20µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 39nC @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8-4
- Мощность - Максимальная 50W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 13.7mOhm @ 17A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2890pF @ 25V