IPP018N10N5AKSA1
Номер детали:
IPP018N10N5AKSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-220-3
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 210 nC @ 10 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO220-3
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 16000 pF @ 50 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.8V @ 270µA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 33A (Ta), 205A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.83mOhm @ 100A, 10V