IPP70N12S311AKSA2
Номер детали:
IPP70N12S311AKSA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(120V 300V)
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Корпус TO-220-3
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 125W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 65 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 70A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO220-3-1
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 83µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 120 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4355 pF @ 25 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 70A, 10V