IPT017N10NM5LF2ATMA1
Номер детали:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V, 15V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 206 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-HSOF-8-1
- Корпус 8-PowerSFN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 17000 pF @ 50 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 32A (Ta), 321A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 150A, 15V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.9V @ 280µA