IPTC011N08NM5ATMA1
Номер детали:
IPTC011N08NM5ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 223 nC @ 10 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.8V @ 280µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 17000 pF @ 40 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-HDSOP-16-2
- Корпус 16-PowerSOP Module
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 42A (Ta), 408A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 150A, 10V