IPTC068N20NM6ATMA1
Номер детали:
IPTC068N20NM6ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IPTC068N20NM6ATMA1
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 107 nC @ 10 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V, 15V
- Корпус 16-PowerSOP Module
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.8W (Ta), 319W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 251µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 7300 pF @ 100 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15.2A (Ta), 140A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 6.25mOhm @ 126A, 15V
- Поставщик Устройство Корпус PG-HDSOP-16-U04