IQD005N04NM6SCATMA1
Номер детали:
IQD005N04NM6SCATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Корпус 8-PowerWDFN
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 12000 pF @ 20 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 163 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 333W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.8V @ 1.449mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 0.49mOhm @ 50A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PG-WHSON-8-U02
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 57A (Ta), 597A (Tc)