IQD020N10NM5CGSCATMA1
Номер детали:
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 134 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 9500 pF @ 50 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.8V @ 159µA
- Корпус 9-PowerWDFN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 333W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.05mOhm @ 50A, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 26A (Ta), 276A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-WHTFN-9-U02