IRF60DM206ATMA1
Номер детали:
IRF60DM206ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
FET N-CHANNEL
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 200 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 130A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 96W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.7V @ 150µA
- Поставщик Устройство Корпус DirectFET™ Isometric ME
- Корпус DirectFET™ Isometric ME
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6530 pF @ 25 V