IRFH7911TRPBF
Номер детали:
IRFH7911TRPBF
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 12nC @ 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус PQFN (5x6)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13A, 28A
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1060pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 2.4W, 3.4W
- Корпус 18-PowerVQFN