ISC015N06NM5LFATMA1
Номер детали:
ISC015N06NM5LFATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 113 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8 FL
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.55mOhm @ 50A, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 217W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 9000 pF @ 30 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 32A (Ta), 275A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.45V @ 120µA