ISC030N12NM6ATMA1
Номер детали:
ISC030N12NM6ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 74 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 120 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 8V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TSON-8-3
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 21A (Ta), 194A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.04mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.6V @ 141µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5500 pF @ 60 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 250W (Tc)