ISC037N13NM6ATMA1
Номер детали:
ISC037N13NM6ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 107 nC @ 10 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Напряжение сток-исток (Vdss) 135 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 140µA
- Поставщик Устройство Корпус PG-TSON-8-3
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 250W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 8V, 15V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 7300 pF @ 68 V