ISC056N08NM6ATMA1
Номер детали:
ISC056N08NM6ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 25 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 100W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 8V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8 FL
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1800 pF @ 40 V