ISC104N12LM6ATMA1
Номер детали:
ISC104N12LM6ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 26 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 120 V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 35µA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11A (Ta), 63A (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 3.3V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1800 pF @ 60 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 28A, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 94W (Tc)