ISZ75DP15LMATMA1
Номер детали:
ISZ75DP15LMATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1100 pF @ 75 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TSDSON-8-26
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 30.4 nC @ 10 V