IXFN75N120SK
Номер детали:
IXFN75N120SK
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IXYS
Описание:
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рассеиваемая мощность (максимальная) -
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 75A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус SOT-227B
- Корпус SOT-227-4, miniBLOC
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (макс.) +15V, -4V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 27mOhm @ 50A, 15V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.6V @ 18mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 158 nC @ 15 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4820 pF @ 1000 V