IXSJ25N120R1
Номер детали:
IXSJ25N120R1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IXYS
Описание:
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 28A (Tc)
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
- Vgs (макс.) +21V, -4V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 81mOhm @ 12A, 18V
- Поставщик Устройство Корпус ISO247-3L
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.8V @ 5.3mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 52 nC @ 18 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1435 pF @ 800 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 75.3W (Tc)