MMDT3906
Номер детали:
MMDT3906
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы
Производитель:
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Описание:
40V 200MW 100@10MA,1V 200MA PNP
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Класс -
- Квалификация -
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
- Частота - Переход 250MHz
- Ток отсечки коллектора (макс.) 50nA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 40V
- Мощность - Максимальная 200mW
- Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик Устройство Корпус SOT-363
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 200mA
- Тип транзистора 2 PNP