MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Номер детали:
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 150A
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Корпус Module
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 150A
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Мощность - Максимальная 560W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.8V @ 2mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 464nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6040pF @ 1000V
- Конфигурация 4 N-Channel, Common Source