MSCSM120HM50T3AG
Номер детали:
MSCSM120HM50T3AG
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 55A
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 55A (Tc)
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.7V @ 2mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 137nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1990pF @ 1000V
- Мощность - Максимальная 245W (Tc)