MSCSM120VR1M11CT6AG
Номер детали:
MSCSM120VR1M11CT6AG
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 251A
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Конфигурация 2 N Channel (Phase Leg)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 120A, 20V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 696nC @ 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.8V @ 9mA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 251A (Tc)
- Мощность - Максимальная 1.042kW (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 9000pF @ 1000V