MT3S111(TE85L,F)
Номер детали:
MT3S111(TE85L,F)
Категория продукта:
Биполярные РЧ-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора NPN
- Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
- Мощность - Максимальная 700mW
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 6V
- Коэффициент усиления 12dB
- Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 1.2dB @ 1GHz
- Поставщик Устройство Корпус S-Mini
- Частота - Переход 11.5GHz
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V