MT3S113P(TE12L,F)
Номер детали:
MT3S113P(TE12L,F)
Категория продукта:
Биполярные РЧ-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора NPN
- Корпус TO-243AA
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
- Коэффициент усиления 10.5dB
- Мощность - Максимальная 1.6W
- Поставщик Устройство Корпус PW-MINI
- Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 1.45dB @ 1GHz
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 5.3V
- Частота - Переход 7.7GHz