NE3511S02-T1C-A
Номер детали:
NE3511S02-T1C-A
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
CEL
Описание:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Номинальное напряжение 4 V
- Ток (Амперы) 70mA
- Ток - Тест 10 mA
- Мощность - Выход -
- Технология GaAs HJ-FET
- Напряжение - Тест 2 V
- Коэффициент усиления 13.5dB
- Корпус 4-SMD, Flat Leads
- Частота 12GHz
- Поставщик Устройство Корпус S02
- Коэффициент шума 0.3dB