NE3521M04-A
Номер детали:
NE3521M04-A
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
CEL
Описание:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Упаковка:
Strip
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Номинальное напряжение 3 V
- Мощность - Выход -
- Технология GaAs HJ-FET
- Напряжение - Тест 2 V
- Корпус 4-SMD, Flat Leads
- Конфигурация N-Channel
- Коэффициент усиления 10.5dB
- Ток (Амперы) 15mA
- Частота 20GHz
- Коэффициент шума 0.85dB
- Ток - Тест 6 mA