NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Номер детали: NE3521M04-T2-A
Категория продукта: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Описание: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Упаковка: Bulk
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Номинальное напряжение 4 V
  • Ток (Амперы) 70mA
  • Мощность - Выход -
  • Технология GaAs HJ-FET
  • Напряжение - Тест 2 V
  • Корпус 4-SMD, Flat Leads
  • Конфигурация N-Channel
  • Коэффициент усиления 11dB
  • Частота 20GHz
  • Коэффициент шума 0.85dB
  • Ток - Тест 6 mA