NSVMUN5216T1G
Номер детали:
NSVMUN5216T1G
Категория продукта:
Однопереходные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель:
onsemi
Описание:
NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
- Тип транзистора NPN - Pre-Biased
- Корпус SC-70, SOT-323
- Резисторы включены R1 Only
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
- Резистор - База (R1) 4.7 kOhms
- Поставщик Устройство Корпус SC-70-3 (SOT323)
- Мощность - Максимальная 202 mW