NTBG040N120M3S
Номер детали:
NTBG040N120M3S
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
onsemi
Описание:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 57A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Поставщик Устройство Корпус D2PAK-7
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 263W (Tc)
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
- Vgs (макс.) +22V, -10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.4V @ 10mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 75 nC @ 18 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1700 pF @ 800 V