NTMFD4C20NT3G
Номер детали:
NTMFD4C20NT3G
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
onsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.1V @ 250µA
- Корпус 8-PowerTDFN
- Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9.1A, 13.7A
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 9.3nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 970pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 1.09W, 1.15W