NTMFD5C650NLT1G
Номер детали:
NTMFD5C650NLT1G
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
onsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Last Time Buy
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 21A (Ta), 111A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 98µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2546pF @ 25V
- Мощность - Максимальная 3.5W (Ta), 125W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 37nC @ 10V