NTMFS4C027NAT1G

NTMFS4C027NAT1G

Номер детали: NTMFS4C027NAT1G
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 5DFN
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18.2 nC @ 10 V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.1V @ 250µA
  • Поставщик Устройство Корпус 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Корпус 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 18A, 10V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9A (Ta), 52A (Tc)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1670 pF @ 15 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 760mW (Ta), 25.5W (Tc)