NVMFWD020N06CT1G
Номер детали:
NVMFWD020N06CT1G
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
onsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 20µA
- Корпус 8-PowerTDFN
- Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 8A (Ta), 27A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 20.3mOhm @ 4A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 5.8nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 355pF @ 30V
- Мощность - Максимальная 3.1W (Ta), 31W (Tc)