NXH030P120M3F1PTG
Номер детали:
NXH030P120M3F1PTG
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
onsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 42A
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус Module
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 42A (Tc)
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.4V @ 15mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 38.5mOhm @ 30A, 18V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 110nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2271pF @ 800V
- Мощность - Максимальная 100W (Tj)