P3M06060G7
Номер детали:
P3M06060G7
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
PN Junction Semiconductor
Описание:
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Поставщик Устройство Корпус D2PAK-7
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 159W
- Vgs (макс.) +20V, -8V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 44A
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 79mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 20mA (Typ)